Canale N 650 V 24 A (Tc) 150W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
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Canale N 650 V 24 A (Tc) 150W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

STB32N65M5

Codice DigiKey
497-10564-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
497-10564-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
497-10564-6-ND - Digi-Reel®
Produttore
STMicroelectronics
Codice produttore
STB32N65M5
Descrizione
MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore
16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 650 V 24 A (Tc) 150W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
STB32N65M5 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
STMicroelectronics
Serie
MDmesh™ V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
24 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
119mohm a 12A, 10V
Vgs(th) max a Id
5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (max)
±25V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
3320 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
150W (Tc)
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
D2PAK
Contenitore/involucro
TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base
STB32
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 9,50000€ 9,50
10€ 6,57800€ 65,78
100€ 5,52060€ 552,06
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1 000€ 4,28482€ 4 284,82
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 9,50000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 11,59000