Canale N 650 V 20 A (Tc) 170W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
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Canale N 650 V 20 A (Tc) 170W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
TO-263 D2PAK

STB28N65M2

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497-15456-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
497-15456-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
497-15456-6-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer
STMicroelectronics
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STB28N65M2
cms-description
MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK
cms-standard-lead-time
16 settimane
cms-customer-reference
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Canale N 650 V 20 A (Tc) 170W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
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STB28N65M2 Modelli
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cms-type
cms-description
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cms-category
Produttore
STMicroelectronics
Serie
MDmesh™ M2
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
20 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
180mohm a 10A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (max)
±25V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1440 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
170W (Tc)
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-263 (D2PAK)
Contenitore/involucro
TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base
STB28
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In magazzino: 3 314
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cms-quantity
cms-all-prices-in-currency
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
cms-quantityPrezzo unitario cms-ext-price
1€ 3,72000€ 3,72
10€ 2,45000€ 24,50
100€ 1,73010€ 173,01
500€ 1,58284€ 791,42
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
cms-quantityPrezzo unitario cms-ext-price
1 000€ 1,32421€ 1 324,21
2 000€ 1,29316€ 2 586,32
cms-manufacturer-standard-package
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 3,72000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 4,53840