Name: STB28N60DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-16349-2-ND
Price: 4.7702 EUR
Availability: InStock

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STB28N60DM2
Codice DigiKey	497-16349-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 497-16349-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 497-16349-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	STB28N60DM2
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 21 A (Tc) 170W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	STB28N60DM2 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 5V a 250µA
Produttore STMicroelectronics	Carica del gate (Qg) max a Vgs 34 nC @ 10 V
Serie MDmesh™ DM2	Vgs (max) ±25V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1500 pF @ 100 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 170W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 600 V	Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 21 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base STB28
RDSon (max) a Id, Vgs 160mohm a 10,5A, 10V

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Sostituti (6)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
AOB20S60L	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	365	785-1247-1-ND	€ 4,15000	Simile
FCB20N60FTM	onsemi	1 695	FCB20N60FTMCT-ND	€ 6,01000	Simile
IPB60R160C6ATMA1	Infineon Technologies	1 092	IPB60R160C6ATMA1CT-ND	€ 4,28000	Simile
IPB60R180P7ATMA1	Infineon Technologies	4 807	IPB60R180P7ATMA1CT-ND	€ 3,12000	Simile
IXFA22N65X2	IXYS	4 207	238-IXFA22N65X2-ND	€ 6,70000	Simile