Name: STB25N80K5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-13640-2-ND
Price: 6.5636 EUR
Availability: InStock

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STB25N80K5
Codice DigiKey	497-13640-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 497-13640-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 497-13640-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	STB25N80K5
Descrizione	MOSFET N-CH 800V 19.5A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 800 V 19,5 A (Tc) 250W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	STB25N80K5 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 5V a 100µA
Produttore STMicroelectronics	Carica del gate (Qg) max a Vgs 40 nC @ 10 V
Serie SuperMESH5™	Vgs (max) ±30V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1600 pF @ 100 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 250W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 800 V	Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 19,5 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base STB25
RDSon (max) a Id, Vgs 260mohm a 19,5A, 10V

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In magazzino: 1 037

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Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1 000	€ 2,01928	€ 2 019,28
2 000	€ 1,94161	€ 3 883,22

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 5,38000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 6,56360

STB25N80K5