Canale N 800 V 17 A (Tc) 190W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
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Canale N 800 V 17 A (Tc) 190W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
TO-263 D2PAK

STB18NM80

Codice DigiKey
497-10117-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
497-10117-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
497-10117-6-ND - Digi-Reel®
Produttore
STMicroelectronics
Codice produttore
STB18NM80
Descrizione
MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore
16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 800 V 17 A (Tc) 190W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
STB18NM80 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
STMicroelectronics
Serie
MDmesh™
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
800 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
17 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
295mohm a 8,5A, 10V
Vgs(th) max a Id
5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (max)
±25V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
2070 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
190W (Tc)
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-263 (D2PAK)
Contenitore/involucro
TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base
STB18
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 4,72000€ 4,72
10€ 3,15000€ 31,50
100€ 2,25750€ 225,75
500€ 2,18602€ 1 093,01
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1 000€ 1,78596€ 1 785,96
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 4,72000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 5,75840