


STB18N60DM2 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 497-16339-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 497-16339-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 497-16339-6-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | STB18N60DM2 |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 600 V 12 A (Tc) 90W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | STB18N60DM2 Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 5V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 20 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±25V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 800 pF @ 100 V |
Stato componente Data di acquisto finale | Dissipazione di potenza (max) 90W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 600 V | Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK) |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IPB60R360P7ATMA1 | Infineon Technologies | 5 888 | IPB60R360P7ATMA1CT-ND | € 2,24000 | Simile |
| IXFA22N60P3 | IXYS | 0 | IXFA22N60P3-ND | € 3,43380 | Simile |
| R6011ENJTL | Rohm Semiconductor | 0 | R6011ENJTLCT-ND | € 4,33000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 3,08000 | € 3,08 |
| 10 | € 2,01000 | € 20,10 |
| 100 | € 1,39800 | € 139,80 |
| 500 | € 1,13668 | € 568,34 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 000 | € 1,03471 | € 1 034,71 |
| 2 000 | € 0,96510 | € 1 930,20 |
| 3 000 | € 0,92964 | € 2 788,92 |
| 5 000 | € 0,89889 | € 4 494,45 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 3,08000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 3,75760 |

