Name: STB13N60M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-13828-2-ND
Price: 3.172 EUR
Availability: InStock

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STB13N60M2
Codice DigiKey	497-13828-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 497-13828-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 497-13828-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	STB13N60M2
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 11 A (Tc) 110W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	STB13N60M2 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore STMicroelectronics	Carica del gate (Qg) max a Vgs 17 nC @ 10 V
Serie MDmesh™ II Plus	Vgs (max) ±25V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 580 pF @ 100 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 110W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 600 V	Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 11 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base STB13
RDSon (max) a Id, Vgs 380mohm a 5,5A, 10V