Name: STB13N60M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-13828-2-ND
Price: 3.05 EUR
Availability: InStock

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STB13N60M2
Codice DigiKey	497-13828-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 497-13828-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 497-13828-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	STB13N60M2
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	14 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 11 A (Tc) 110W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	STB13N60M2 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	STMicroelectronics
Serie	MDmesh™ II Plus
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	11 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	380mohm a 5,5A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	17 nC @ 10 V
Vgs (max)	±25V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	580 pF @ 100 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	110W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-263 (D2PAK)
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base	STB13