Canale N 550 V 12 A (Tc) 160W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
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Canale N 550 V 12 A (Tc) 160W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

STB12NM50T4

Codice DigiKey
497-STB12NM50T4TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
497-STB12NM50T4CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
497-STB12NM50T4DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
STMicroelectronics
Codice produttore
STB12NM50T4
Descrizione
MOSFET N-CH 550V 12A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore
16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 550 V 12 A (Tc) 160W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
STB12NM50T4 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
STMicroelectronics
Serie
MDmesh™
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
550 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
12 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
350mohm a 6A, 10V
Vgs(th) max a Id
5V a 50µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1000 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
160W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-65°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
D2PAK
Contenitore/involucro
TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base
STB12N
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 4,73000€ 4,73
10€ 3,15600€ 31,56
100€ 2,26160€ 226,16
500€ 2,19076€ 1 095,38
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1 000€ 1,75412€ 1 754,12
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 4,73000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 5,77060