Name: STB120N4F6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-10768-2-ND
Price: 2.867 EUR
Availability: InStock

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STB120N4F6
Codice DigiKey	497-10768-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 497-10768-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 497-10768-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	STB120N4F6
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	19 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 80 A (Tc) 110W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	STB120N4F6 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 65 nC @ 10 V
Produttore STMicroelectronics	Vgs (max) ±20V
Serie DeepGATE™, STripFET™ VI	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3850 pF @ 25 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 110W (Tc)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 80 A (Tc)	Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
RDSon (max) a Id, Vgs 4mohm a 40A, 10V	Codice componente base STB120
Vgs(th) max a Id 4V a 250µA

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Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 2,35000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 2,86700

STB120N4F6