


STB11NM80T4 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 497-STB11NM80T4TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 497-STB11NM80T4CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 497-STB11NM80T4DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | STB11NM80T4 |
Descrizione | MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 16 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 800 V 11 A (Tc) 150W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | STB11NM80T4 Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 5V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 43.6 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±30V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1630 pF @ 25 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 150W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 800 V | Contenitore del fornitore D2PAK |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 400mohm a 5,5A, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| SPB17N80C3ATMA1 | Infineon Technologies | 7 953 | SPB17N80C3ATMA1CT-ND | € 4,93000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 7,45000 | € 7,45 |
| 10 | € 5,07200 | € 50,72 |
| 100 | € 3,72440 | € 372,44 |
| 500 | € 3,67220 | € 1 836,10 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 000 | € 3,00016 | € 3 000,16 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 7,45000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 9,08900 |

