Name: STB11NM80T4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STB11NM80T4TR-ND
Price: 8.6986 EUR
Availability: InStock

Serve aiuto?

Commenti

DigiKey Marketplace Vendi su DigiKey.com Lavora con noi Mappa del sito Soluzioni digitali Redazione

Assistenza Stato ordine Tariffe di spedizione/Opzioni Resi e problemi con l'ordine

Chat (+39) 02 3859 4698 italy.support@digikey.com Co-navigazione

STB11NM80T4
Codice DigiKey	497-STB11NM80T4TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 497-STB11NM80T4CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 497-STB11NM80T4DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	STB11NM80T4
Descrizione	MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	14 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 800 V 11 A (Tc) 150W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	STB11NM80T4 Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	STMicroelectronics
Serie	MDmesh™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	800 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	11 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	400mohm a 5,5A, 10V
Vgs(th) max a Id	5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	43.6 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1630 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	150W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-65°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	D2PAK
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base	STB11

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 7,13000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 8,69860

STB11NM80T4