Name: STB10N60M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STB10N60M2TR-ND
Price: 2.6962 EUR
Availability: InStock

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STB10N60M2
Codice DigiKey	497-STB10N60M2TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 497-STB10N60M2CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 497-STB10N60M2DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	STB10N60M2
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 7,5 A (Tc) 85W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	STB10N60M2 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore STMicroelectronics	Carica del gate (Qg) max a Vgs 13.5 nC @ 10 V
Serie MDmesh™ II Plus	Vgs (max) ±25V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 400 pF @ 100 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 85W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 600 V	Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 7,5 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base STB10
RDSon (max) a Id, Vgs 600mohm a 3A, 10V

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Sostituti (8)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 2,21000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 2,69620

STB10N60M2