Canale N 1200 V 60 A (Tc) 388W (Tc) Foro passante TO-247-4
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SCTWA60N120G2-4

Codice DigiKey
497-SCTWA60N120G2-4-ND
Produttore
Codice produttore
SCTWA60N120G2-4
Descrizione
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 1200 V 60 A (Tc) 388W (Tc) Foro passante TO-247-4
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SCTWA60N120G2-4 Modelli
Attributi del prodotto
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Categoria
Vgs(th) max a Id
5V a 1mA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
94 nC @ 18 V
Confezionamento
Tubo
Vgs (max)
+22V, -10V
Stato componente
Obsoleto
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1969 pF @ 800 V
Tipo FET
Dissipazione di potenza (max)
388W (Tc)
Tecnologia
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 200°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss)
1200 V
Tipo di montaggio
Foro passante
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
TO-247-4
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
18V
Contenitore/involucro
RDSon (max) a Id, Vgs
52mohm a 30A, 18V
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (2)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
SCT040W120G3-4STMicroelectronics0497-SCT040W120G3-4-ND€ 10,60000Consigliato dal produttore
MSC040SMA120B4Microchip Technology34150-MSC040SMA120B4-ND€ 14,85000Simile
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Tutti i prezzi sono in EUR
Tubo
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 15,32000€ 15,32
10€ 12,17800€ 121,78
30€ 11,26000€ 337,80
120€ 10,44042€ 1 252,85
Contenitore standard del produttore
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Prezzo unitario IVA esclusa:€ 15,32000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 18,69040