TO-247-4
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SCTWA60N120G2-4

Codice DigiKey
497-SCTWA60N120G2-4-ND
Produttore
STMicroelectronics
Codice produttore
SCTWA60N120G2-4
Descrizione
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 1200 V 60 A (Tc) 388W (Tc) Foro passante TO-247-4
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SCTWA60N120G2-4 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
STMicroelectronics
Serie
-
Confezionamento
Tubo
Stato componente
Data di acquisto finale
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
SiCFET (carburo di silicio)
Tensione drain/source (Vdss)
1200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
60 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
18V
RDSon (max) a Id, Vgs
52mohm a 30A, 18V
Vgs(th) max a Id
5V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
94 nC @ 18 V
Vgs (max)
+22V, -10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1969 pF @ 800 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
388W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 200°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
Foro passante
Contenitore del fornitore
TO-247-4
Contenitore/involucro
TO-247-4
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Tubo
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 15,26000€ 15,26
10€ 12,13300€ 121,33
30€ 11,21867€ 336,56
120€ 10,40183€ 1 248,22
270€ 10,05237€ 2 714,14
510€ 9,82890€ 5 012,74
Contenitore standard del produttore
Nota: a causa dei servizi a valore aggiunto di DigiKey, il tipo di confezionamento può cambiare quando un prodotto viene acquistato in quantità inferiori alla confezione standard.
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 15,26000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 18,61720