Name: SCTW40N120G2VAG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCTW40N120G2VAG-ND
Price: 18.1292 EUR
Availability: InStock

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SCTW40N120G2VAG
Codice DigiKey	497-SCTW40N120G2VAG-ND
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	SCTW40N120G2VAG
Descrizione	SICFET N-CH 1200V 33A HIP247
Tempi di consegna standard del produttore	17 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1200 V 33 A (Tc) 290W (Tc) Foro passante HiP247™
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	STMicroelectronics
Serie	-
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	SiCFET (carburo di silicio)
Tensione drain/source (Vdss)	1200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	33 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	18V
RDSon (max) a Id, Vgs	105mohm a 20A, 18V
Vgs(th) max a Id	5V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	63 nC @ 18 V
Vgs (max)	+22V, -10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1230 pF @ 800 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	290W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 200°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	HiP247™
Contenitore/involucro	TO-247-3
Codice componente base	SCTW40

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Quantità

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Tubo

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	€ 14,86000	€ 14,86
30	€ 9,21400	€ 276,42
120	€ 8,04533	€ 965,44

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