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SCTH35N65G2V-7 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 497-SCTH35N65G2V-7TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 497-SCTH35N65G2V-7CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 497-SCTH35N65G2V-7DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SCTH35N65G2V-7 |
Descrizione | SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7 |
Tempi di consegna standard del produttore | 21 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 45 A (Tc) 208W (Tc) A montaggio superficiale H2PAK-7 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 5V a 1mA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 73 nC @ 20 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Vgs (max) +22V, -10V |
Stato componente Attivo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1370 pF @ 400 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 208W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 650 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore H2PAK-7 |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 18V, 20V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 67mohm a 20A, 20V | Codice componente base |
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In magazzino: 254
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 11,98000 | € 11,98 |
| 10 | € 8,36700 | € 83,67 |
| 100 | € 6,84210 | € 684,21 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 000 | € 5,58997 | € 5 589,97 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 11,98000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 14,61560 |
