Name: SCT055TO65G3
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCT055TO65G3TR-ND
Price: 9.5038 EUR
Availability: InStock

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SCT055TO65G3
Codice DigiKey	497-SCT055TO65G3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 497-SCT055TO65G3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 497-SCT055TO65G3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	SCT055TO65G3
Descrizione	SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
Tempi di consegna standard del produttore	20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 30 A (Tc) 234W (Tc) A montaggio superficiale TOLL (HV)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SCT055TO65G3 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4,2V a 1mA
Produttore STMicroelectronics	Carica del gate (Qg) max a Vgs 31 nC @ 18 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) +18V, -5V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 687 pF @ 400 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 234W (Tc)
Tecnologia SiCFET (carburo di silicio)	Temperatura di funzionamento -65°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 30 A (Tc)	Contenitore del fornitore TOLL (HV)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 15V, 18V	Contenitore/involucro 8-PowerSFN
RDSon (max) a Id, Vgs 72mohm a 15A, 18V	Codice componente base SCT055

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In magazzino: 59

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Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1 800	€ 3,18713	€ 5 736,83

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 7,79000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 9,50380

SCT055TO65G3