Name: SCT040HU65G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCT040HU65G3AGTR-ND
Price: 14.1276 EUR
Availability: InStock

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SCT040HU65G3AG
Codice DigiKey	497-SCT040HU65G3AGTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 497-SCT040HU65G3AGCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 497-SCT040HU65G3AGDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	SCT040HU65G3AG
Descrizione	AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Tempi di consegna standard del produttore	22 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 30 A (Tc) 221W (Tc) A montaggio superficiale HU3PAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 39.5 nC @ 18 V
Produttore STMicroelectronics	Vgs (max) +22V, -10V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 920 pF @ 400 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 221W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia SiCFET (carburo di silicio)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 30 A (Tc)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 15V, 18V	Contenitore del fornitore HU3PAK
RDSon (max) a Id, Vgs 55mohm a 20A, 18V	Contenitore/involucro TO-263-8, D2PAK (7 conduttori+linguetta), TO-263CA
Vgs(th) max a Id 4,2V a 1mA	Codice componente base SCT040