Name: SCT019HU120G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCT019HU120G3AG-ND
Price: 12.71042 EUR
Availability: OutOfStock

Novità in DigiKey

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SCT019HU120G3AG
Codice DigiKey	497-SCT019HU120G3AG-ND
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	SCT019HU120G3AG
Descrizione	SIC MOSFET
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1200 V 90 A (Tc) 500W (Tc) A montaggio superficiale HU3PAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	STMicroelectronics
Serie	ECOPACK®
Confezionamento	Sfuso
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	SiCFET (carburo di silicio)
Tensione drain/source (Vdss)	1200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	90 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	15V, 18V
RDSon (max) a Id, Vgs	26mohm a 40A, 18V
Vgs(th) max a Id	4,2V a 10mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	111.2 nC @ 18 V
Vgs (max)	+22V, -10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2789 pF @ 800 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	500W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	HU3PAK
Contenitore/involucro	TO-263-8, D2PAK (7 conduttori+linguetta), TO-263CA

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