Canale N 1200 V 112 A (Tc) 652W (Tc) A montaggio superficiale H2PAK-7
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Canale N 1200 V 112 A (Tc) 652W (Tc) A montaggio superficiale H2PAK-7
H2PAK-7

SCT016H120G3AG

Codice DigiKey
497-SCT016H120G3AGTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
497-SCT016H120G3AGCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
497-SCT016H120G3AGDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
STMicroelectronics
Codice produttore
SCT016H120G3AG
Descrizione
AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Tempi di consegna standard del produttore
21 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 1200 V 112 A (Tc) 652W (Tc) A montaggio superficiale H2PAK-7
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
STMicroelectronics
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
SiCFET (carburo di silicio)
Tensione drain/source (Vdss)
1200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
112 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
15V, 18V
RDSon (max) a Id, Vgs
22mohm a 60A, 18V
Vgs(th) max a Id
4,2V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
150 nC @ 18 V
Vgs (max)
+18V, -5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
3623 pF @ 800 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
652W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
H2PAK-7
Contenitore/involucro
TO-263-8, D2PAK (7 conduttori+linguetta), TO-263CA
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 20,08000€ 20,08
10€ 14,51100€ 145,11
100€ 14,48390€ 1 448,39
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1 000€ 11,83325€ 11 833,25
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 20,08000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 24,49760