Name: S1M1000170K
Brand: SMC Diode Solutions
SKU: 1655-S1M1000170K-ND
Price: 5.2094 EUR
Availability: InStock

Canale N 1700 V 5,2 A (Tc) 81W (Tc) Foro passante TO-247-4

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S1M1000170K
Codice DigiKey	1655-S1M1000170K-ND
Produttore	SMC Diode Solutions
Codice produttore	S1M1000170K
Descrizione	MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1700V
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1700 V 5,2 A (Tc) 81W (Tc) Foro passante TO-247-4
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	SMC Diode Solutions
Serie	-
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	SiCFET (carburo di silicio)
Tensione drain/source (Vdss)	1700 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	5,2 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	20V
RDSon (max) a Id, Vgs	1,3ohm a 2A, 20V
Vgs(th) max a Id	4V a 500µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	10 nC @ 20 V
Vgs (max)	+25V, -10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	160 pF @ 1000 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	81W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-247-4
Contenitore/involucro	TO-247-4

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Quantità

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Tubo

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	€ 4,27000	€ 4,27
10	€ 2,83000	€ 28,30
300	€ 1,76343	€ 529,03
600	€ 1,63663	€ 981,98
1 200	€ 1,55693	€ 1 868,32

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