Name: S1M1000170J
Brand: SMC Diode Solutions
SKU: 1655-S1M1000170JTR-ND
Price: 5.5632 EUR
Availability: OutOfStock

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S1M1000170J
Codice DigiKey	1655-S1M1000170JTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 1655-S1M1000170JCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1655-S1M1000170JDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	SMC Diode Solutions
Codice produttore	S1M1000170J
Descrizione	MOSFETS SILICON CARBIDES 1700V 1
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1700 V 5,8 A (Tc) 100W (Tc) A montaggio superficiale TO-263-7
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 500µA
Produttore SMC Diode Solutions	Carica del gate (Qg) max a Vgs 10 nC @ 20 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) +20V, -5V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 160 pF @ 1000 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 100W (Tc)
Tecnologia SiCFET (carburo di silicio)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 1700 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 5,8 A (Tc)	Contenitore del fornitore TO-263-7
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 20V	Contenitore/involucro TO-263-8, D2PAK (7 conduttori+linguetta), TO-263CA
RDSon (max) a Id, Vgs 1,3ohm a 2A, 20V