
GCMX008B120B3H1P | |
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Codice DigiKey | 1560-GCMX008B120B3H1P-ND |
Produttore | |
Codice produttore | GCMX008B120B3H1P |
Descrizione | GEN3 1200V 8M SIC FULL BRIDGE MO |
Tempi di consegna standard del produttore | 6 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 1200V (1,2kV) 120 A (Tc) 500W (Tc) Montaggio su telaio |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | RDSon (max) a Id, Vgs 12mohm a 100A, 18V |
Produttore SemiQ | Vgs(th) max a Id 4V a 120mA |
Serie | Carica del gate (Qg) max a Vgs 493nC a 18V |
Confezionamento Scatola | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 14400pF a 800V |
Stato componente Attivo | Potenza - Max 500W (Tc) |
Tecnologia Carburo di silicio (SiC) | Temperatura di funzionamento -40°C ~ 175°C (TJ) |
Configurazione 4 canale N (ponte intero) | Tipo di montaggio Montaggio su telaio |
Tensione drain/source (Vdss) 1200V (1,2kV) | Contenitore/involucro Modulo |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 120 A (Tc) |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 76,20000 | € 76,20 |
| 10 | € 59,37200 | € 593,72 |
| 100 | € 56,82640 | € 5 682,64 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 76,20000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 92,96400 |


