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GCMX003A120S3B1-N | |
|---|---|
Codice DigiKey | 1560-GCMX003A120S3B1-N-ND |
Produttore | |
Codice produttore | GCMX003A120S3B1-N |
Descrizione | 1200V, 3M SIC MOSFET HALF BRIDGE |
Tempi di consegna standard del produttore | 22 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 1200V (1,2kV) 625A (Tc) 2113W (Tc) Montaggio su telaio |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | RDSon (max) a Id, Vgs 5,5mohm a 300A, 20V |
Produttore SemiQ | Vgs(th) max a Id 4V a 120mA |
Serie | Carica del gate (Qg) max a Vgs 1408nC a 20V |
Confezionamento Scatola | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 41400pF a 800V |
Stato componente Attivo | Potenza - Max 2113W (Tc) |
Tecnologia Carburo di silicio (SiC) | Temperatura di funzionamento -40°C ~ 175°C (TJ) |
Configurazione 2 canali N (semiponte) | Tipo di montaggio Montaggio su telaio |
Tensione drain/source (Vdss) 1200V (1,2kV) | Contenitore/involucro Modulo |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 625A (Tc) |
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Tutti i prezzi sono in EUR
Scatola
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 217,10000 | € 217,10 |
| 15 | € 195,43467 | € 2 931,52 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 217,10000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 264,86200 |
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