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Scheda tecnica
Transistor - Bipolari (BJT) - Array 2 NPN (doppio) 50V 100mA 350MHz 150mW A montaggio superficiale VMT6
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VT6X12T2R

Codice DigiKey
VT6X12T2RTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
VT6X12T2R
Descrizione
TRANS 2NPN DUAL 50V 100MA VMT6
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Transistor - Bipolari (BJT) - Array 2 NPN (doppio) 50V 100mA 350MHz 150mW A montaggio superficiale VMT6
Scheda tecnica
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Modelli EDA/CAD
VT6X12T2R Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Rohm Semiconductor
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Obsoleto
Tipo di transistor
2 NPN (doppio)
Corrente - Collettore (Ic) max
100mA
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)
50V
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic
300mV a 5mA, 50mA
Corrente - Interruzione collettore (max)
100 nA (ICBO)
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce
120 a 1mA, 6V
Potenza - Max
150mW
Frequenza - Transizione
350MHz
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
6-SMD, conduttori piatti
Contenitore del fornitore
VMT6
Codice componente base
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