Name: UT6MA2TCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: UT6MA2TCRTR-ND
Price: 1.0126 EUR
Availability: InStock

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UT6MA2TCR
Codice DigiKey	UT6MA2TCRTR-ND - Nastrato in bobina (TR) UT6MA2TCRCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) UT6MA2TCRDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	UT6MA2TCR
Descrizione	MOSFET N/P-CH 30V 4A HUML2020L8
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 30V 4 A (Ta) 2W (Ta) A montaggio superficiale HUML2020L8
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Vgs(th) max a Id 2,5V a 1mA
Produttore Rohm Semiconductor	Carica del gate (Qg) max a Vgs 4,3nC a 10V, 6,7nC a 10V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 180pF a 15V, 305pF a 15V
Stato componente Attivo	Potenza - Max 2W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Configurazione Canale N e P	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30V	Contenitore/involucro 6-PowerUDFN
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 4 A (Ta)	Contenitore del fornitore HUML2020L8
RDSon (max) a Id, Vgs 46mohm a 4A, 10V, 70mohm a 4A, 10V	Codice componente base UT6MA2

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Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,83000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,01260

UT6MA2TCR