Name: US6M11TR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: US6M11TR-ND
Price: 0.976 EUR
Availability: InStock

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US6M11TR
Codice DigiKey	US6M11TR-ND - Nastrato in bobina (TR) US6M11CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) US6M11DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	US6M11TR
Descrizione	MOSFET N/P-CH 20V/12V 1.5A TUMT6
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 20V, 12V 1,5 A, 1,3 A 1W A montaggio superficiale TUMT6
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	US6M11TR Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	Rohm Semiconductor
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	Canale N e P
Funzione FET	Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)	20V, 12V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	1,5 A, 1,3 A
RDSon (max) a Id, Vgs	180mohm a 1,5A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	1,8nC a 4,5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	110pF a 10V
Potenza - Max	1W
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	6-SMD, conduttori piatti
Contenitore del fornitore	TUMT6
Codice componente base	US6M11

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)