MOSFET - Array 30V 7A (Ta), 4,5A (Ta) 2W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOP
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SP8M10FRATB

Codice DigiKey
846-SP8M10FRATBTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
846-SP8M10FRATBCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
846-SP8M10FRATBDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
SP8M10FRATB
Descrizione
MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOP
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 30V 7A (Ta), 4,5A (Ta) 2W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOP
Scheda tecnica
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Attributi del prodotto
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Categoria
Carica del gate (Qg) max a Vgs
8,4nC a 5V, 8,5nC a 5V
Produttore
Rohm Semiconductor
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
600pF a 10V, 850pF a 10V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Potenza - Max
2W (Ta)
Stato componente
Non per nuovi progetti
Temperatura di funzionamento
150°C
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Grado
Automobilistico
Configurazione
Canale N e P
Qualifica
AEC-Q101
Funzione FET
Gate livello logico, comando 4V
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss)
30V
Contenitore/involucro
8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
7A (Ta), 4,5A (Ta)
Contenitore del fornitore
8-SOP
RDSon (max) a Id, Vgs
25mohm a 7A, 10V, 56mohm a 4,5A, 10V
Codice componente base
Vgs(th) max a Id
2,5V a 1mA
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (1)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
SP8M4HZGTBRohm Semiconductor1 189846-SP8M4HZGTBCT-ND€ 2,90000Simile
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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 1,92000€ 1,92
10€ 1,23200€ 12,32
100€ 0,83720€ 83,72
500€ 0,66830€ 334,15
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 500€ 0,55526€ 1 388,15
5 000€ 0,52687€ 2 634,35
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,92000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 2,34240