Name: SH8MA3TB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: SH8MA3TB1TR-ND
Price: 1.6226 EUR
Availability: InStock

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SH8MA3TB1
Codice DigiKey	SH8MA3TB1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SH8MA3TB1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SH8MA3TB1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	SH8MA3TB1
Descrizione	MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOP
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 30V 7A (Ta), 6A (Ta) 2W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOP
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Vgs(th) max a Id 2,5V a 1mA
Produttore Rohm Semiconductor	Carica del gate (Qg) max a Vgs 7,2nC a 10V, 10nC a 10V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 300pF a 15V, 480pF a 15V
Stato componente Attivo	Potenza - Max 2W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Configurazione Canale N e P	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30V	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 7A (Ta), 6A (Ta)	Contenitore del fornitore 8-SOP
RDSon (max) a Id, Vgs 28mohm a 7A, 10V, 50mohm a 6A, 10V	Codice componente base SH8MA3

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In magazzino: 15 497

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,33000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,62260

SH8MA3TB1