MOSFET - Array 80V 3,4 A, 2,6 A 2W A montaggio superficiale 8-SOP
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SH8M41GZETB

Codice DigiKey
SH8M41GZETBTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
SH8M41GZETBCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
SH8M41GZETBDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
SH8M41GZETB
Descrizione
MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A 8SOP
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 80V 3,4 A, 2,6 A 2W A montaggio superficiale 8-SOP
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SH8M41GZETB Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Rohm Semiconductor
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Non per nuovi progetti
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
Canale N e P
Funzione FET
Gate livello logico, comando 4V
Tensione drain/source (Vdss)
80V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
3,4 A, 2,6 A
RDSon (max) a Id, Vgs
130mohm a 3,4A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,5V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
9,2nC a 5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
600pF a 10V
Potenza - Max
2W
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Contenitore del fornitore
8-SOP
Codice componente base
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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 1,75000€ 1,75
10€ 1,11400€ 11,14
100€ 0,75290€ 75,29
500€ 0,59832€ 299,16
1 000€ 0,54860€ 548,60
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 500€ 0,49480€ 1 237,00
5 000€ 0,46156€ 2 307,80
7 500€ 0,46042€ 3 453,15
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,75000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 2,13500