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Scheda tecnica
MOSFET - Array 30V 9A 2W A montaggio superficiale 8-SOP
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MOSFET - Array 30V 9A 2W A montaggio superficiale 8-SOP
8-TSOP

SH8K15TB1

Codice DigiKey
SH8K15TB1-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
SH8K15TB1
Descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 30V 9A 2W A montaggio superficiale 8-SOP
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Rohm Semiconductor
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Non per nuovi progetti
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
2 canali N (doppio)
Funzione FET
Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)
30V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
9A
RDSon (max) a Id, Vgs
21mohm a 9A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,5V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
8,5nC a 5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
630pF a 10V
Potenza - Max
2W
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Contenitore del fornitore
8-SOP
Codice componente base
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Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 500€ 0,46692€ 1 167,30
5 000€ 0,43514€ 2 175,70
7 500€ 0,43030€ 3 227,25
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,46692
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 0,56964