Name: SH8J66TB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: SH8J66TB1TR-ND
Price: 3.477 EUR
Availability: InStock

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SH8J66TB1
Codice DigiKey	SH8J66TB1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SH8J66TB1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SH8J66TB1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	SH8J66TB1
Descrizione	MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOP
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 30V 9A 2W A montaggio superficiale 8-SOP
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SH8J66TB1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Vgs(th) max a Id 2,5V a 1mA
Produttore Rohm Semiconductor	Carica del gate (Qg) max a Vgs 35nC a 5V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3000pF a 10V
Stato componente Attivo	Potenza - Max 2W
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Configurazione 2 canali P (doppio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Funzione FET Porta a livello logico	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Tensione drain/source (Vdss) 30V	Contenitore del fornitore 8-SOP
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 9A	Codice componente base SH8J66
RDSon (max) a Id, Vgs 18,5mohm a 9A, 10V