Canale N 1200 V 17 A (Tc) 100W A montaggio superficiale TO-263-7
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Canale N 1200 V 17 A (Tc) 100W A montaggio superficiale TO-263-7
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
SCT3 Series 3rd Gen SiC MOSFETs in 7-pin D2PAK Package

SCT3160KW7TL

Codice DigiKey
846-SCT3160KW7TLTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
846-SCT3160KW7TLCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
846-SCT3160KW7TLDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
SCT3160KW7TL
Descrizione
SICFET N-CH 1200V 17A TO263-7
Tempi di consegna standard del produttore
27 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 1200 V 17 A (Tc) 100W A montaggio superficiale TO-263-7
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
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Categoria
Carica del gate (Qg) max a Vgs
42 nC @ 18 V
Produttore
Vgs (max)
+22V, -4V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
398 pF @ 800 V
Stato componente
Attivo
Dissipazione di potenza (max)
100W
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
175°C (TJ)
Tecnologia
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss)
1200 V
Contenitore del fornitore
TO-263-7
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore/involucro
RDSon (max) a Id, Vgs
208mohm a 5A, 18V
Codice componente base
Vgs(th) max a Id
5,6V a 2,5mA
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
In magazzino: 3 847
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 11,78000€ 11,78
10€ 8,22300€ 82,23
100€ 6,21500€ 621,50
500€ 5,47218€ 2 736,09
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1 000€ 6,74171€ 6 741,71
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 11,78000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 14,37160