Canale N 1200 V 17 A (Tc) 100W A montaggio superficiale TO-263-7
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Canale N 1200 V 17 A (Tc) 100W A montaggio superficiale TO-263-7
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
SCT3 Series 3rd Gen SiC MOSFETs in 7-pin D2PAK Package

SCT3160KW7TL

Codice DigiKey
846-SCT3160KW7TLTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
846-SCT3160KW7TLCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
846-SCT3160KW7TLDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
SCT3160KW7TL
Descrizione
SICFET N-CH 1200V 17A TO263-7
Tempi di consegna standard del produttore
27 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 1200 V 17 A (Tc) 100W A montaggio superficiale TO-263-7
Scheda tecnica
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Attributi del prodotto
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Descrizione
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Categoria
Produttore
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
1200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
RDSon (max) a Id, Vgs
208mohm a 5A, 18V
Vgs(th) max a Id
5,6V a 2,5mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
42 nC @ 18 V
Vgs (max)
+22V, -4V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
398 pF @ 800 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
100W
Temperatura di funzionamento
175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-263-7
Contenitore/involucro
Codice componente base
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 8,91000€ 8,91
10€ 6,43700€ 64,37
100€ 5,97380€ 597,38
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1 000€ 6,28237€ 6 282,37
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 8,91000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 10,87020