Canale N 650 V 21 A (Tc) 100W A montaggio superficiale TO-263-7
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Canale N 650 V 21 A (Tc) 100W A montaggio superficiale TO-263-7
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
SCT3 Series 3rd Gen SiC MOSFETs in 7-pin D2PAK Package

SCT3120AW7TL

Codice DigiKey
846-SCT3120AW7TLTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
846-SCT3120AW7TLCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
846-SCT3120AW7TLDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
SCT3120AW7TL
Descrizione
SICFET N-CH 650V 21A TO263-7
Tempi di consegna standard del produttore
27 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 650 V 21 A (Tc) 100W A montaggio superficiale TO-263-7
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
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Descrizione
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Categoria
Produttore
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
RDSon (max) a Id, Vgs
156mohm a 6.7A, 18V
Vgs(th) max a Id
5,6V a 3,33mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
38 nC @ 18 V
Vgs (max)
+22V, -4V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
460 pF @ 500 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
100W
Temperatura di funzionamento
175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-263-7
Contenitore/involucro
Codice componente base
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 9,16000€ 9,16
10€ 6,94500€ 69,45
100€ 5,96540€ 596,54
500€ 5,37982€ 2 689,91
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1 000€ 6,15327€ 6 153,27
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 9,16000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 11,17520