Name: SCT3080KW7TL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-SCT3080KW7TLTR-ND
Price: 22.4236 EUR
Availability: InStock

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SCT3080KW7TL
Codice DigiKey	846-SCT3080KW7TLTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 846-SCT3080KW7TLCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 846-SCT3080KW7TLDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	SCT3080KW7TL
Descrizione	SICFET N-CH 1200V 30A TO263-7
Tempi di consegna standard del produttore	27 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1200 V 30 A (Tc) 159W A montaggio superficiale TO-263-7
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SCT3080KW7TL Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 60 nC @ 18 V
Produttore Rohm Semiconductor	Vgs (max) +22V, -4V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 785 pF @ 800 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 159W
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento 175°C (TJ)
Tecnologia SiCFET (carburo di silicio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 1200 V	Contenitore del fornitore TO-263-7
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 30 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-8, D2PAK (7 conduttori+linguetta), TO-263CA
RDSon (max) a Id, Vgs 104mohm a 10A, 18V	Codice componente base SCT3080
Vgs(th) max a Id 5,6V a 5mA

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Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT)

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1 000	€ 11,09427	€ 11 094,27

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 18,38000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 22,42360

SCT3080KW7TL