Canale N 650 V 29 A (Tc) 125W A montaggio superficiale TO-263-7
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Canale N 650 V 29 A (Tc) 125W A montaggio superficiale TO-263-7
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
SCT3 Series 3rd Gen SiC MOSFETs in 7-pin D2PAK Package

SCT3080AW7TL

Codice DigiKey
846-SCT3080AW7TLTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
846-SCT3080AW7TLCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
846-SCT3080AW7TLDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
SCT3080AW7TL
Descrizione
SICFET N-CH 650V 29A TO263-7
Tempi di consegna standard del produttore
27 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 650 V 29 A (Tc) 125W A montaggio superficiale TO-263-7
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
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Categoria
Carica del gate (Qg) max a Vgs
48 nC @ 18 V
Produttore
Vgs (max)
+22V, -4V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
571 pF @ 500 V
Stato componente
Attivo
Dissipazione di potenza (max)
125W
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
175°C (TJ)
Tecnologia
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss)
650 V
Contenitore del fornitore
TO-263-7
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore/involucro
RDSon (max) a Id, Vgs
104mohm a 10A, 18V
Codice componente base
Vgs(th) max a Id
5,6V a 5mA
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
In magazzino: 882
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 14,32000€ 14,32
10€ 10,11200€ 101,12
100€ 7,73610€ 773,61
500€ 7,05064€ 3 525,32
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1 000€ 8,68639€ 8 686,39
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 14,32000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 17,47040