Name: RZM002P02T2L
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RZM002P02T2LTR-ND
Price: 0.3538 EUR
Availability: InStock

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RZM002P02T2L
Codice DigiKey	RZM002P02T2LTR-ND - Nastrato in bobina (TR) RZM002P02T2LCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) RZM002P02T2LDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RZM002P02T2L
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 200MA VMT3
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 200mA (Ta) 150mW (Ta) A montaggio superficiale VMT3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	RZM002P02T2L Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1V a 100µA
Produttore Rohm Semiconductor	Carica del gate (Qg) max a Vgs 1.4 nC @ 4.5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±10V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 115 pF @ 10 V
Tipo FET Canale P	Dissipazione di potenza (max) 150mW (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 200mA (Ta)	Contenitore del fornitore VMT3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,2V, 4,5V	Contenitore/involucro SOT-723
RDSon (max) a Id, Vgs 1,2ohm a 200mA, 4,5V	Codice componente base RZM002

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)