Name: RUC002N05T116
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RUC002N05T116TR-ND
Price: 0.2684 EUR
Availability: InStock

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RUC002N05T116
Codice DigiKey	RUC002N05T116TR-ND - Nastrato in bobina (TR) RUC002N05T116CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) RUC002N05T116DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RUC002N05T116
Descrizione	MOSFET N-CH 50V 200MA SST3
Tempi di consegna standard del produttore	21 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 50 V 200mA (Ta) 200mW (Ta) A montaggio superficiale SST3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	RUC002N05T116 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Rohm Semiconductor
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	50 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	200mA (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	1,2V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	2,2ohm a 200mA, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1V a 1mA
Vgs (max)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	25 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	200mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SST3
Contenitore/involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Codice componente base	RUC002

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Nastrato in bobina (TR)