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Canale P 20 V 4 A (Ta) 1,25W (Ta) A montaggio superficiale Rechteckig 0,950" x 2,690" (24,13mm x 68,33mm)
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RTQ040P02TR

Codice DigiKey
RTQ040P02TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
RTQ040P02CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore
Codice produttore
RTQ040P02TR
Descrizione
MOSFET P-CH 20V 4A TSMT6
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale P 20 V 4 A (Ta) 1,25W (Ta) A montaggio superficiale Rechteckig 0,950" x 2,690" (24,13mm x 68,33mm)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Stato componente
Data di acquisto finale
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
2,5V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs
50mohm a 4A, 4,5V
Vgs(th) max a Id
2V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
12.2 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±12V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1350 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1,25W (Ta)
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
Rechteckig 0,950" x 2,690" (24,13mm x 68,33mm)
Contenitore/involucro
Codice componente base
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Data ultima possibilità d'acquisto
Data ultima possibilità d'acquisto: 30.09.2027
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 0,91000€ 0,91
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3 000€ 0,22608€ 678,24
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Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,91000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,11020