Canale P 20 V 2,5 A (Ta) 950mW (Ta) A montaggio superficiale Rechteckig 0,950" x 2,690" (24,13mm x 68,33mm)
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RTQ025P02HZGTR

Codice DigiKey
846-RTQ025P02HZGTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
846-RTQ025P02HZGCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
846-RTQ025P02HZGDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Rohm Semiconductor
Codice produttore
RTQ025P02HZGTR
Descrizione
MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT6
Tempi di consegna standard del produttore
16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale P 20 V 2,5 A (Ta) 950mW (Ta) A montaggio superficiale Rechteckig 0,950" x 2,690" (24,13mm x 68,33mm)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Rohm Semiconductor
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale P
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
2,5 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
2,5V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs
100mohm a 2,5A, 4,5V
Vgs(th) max a Id
2V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
6.4 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±12V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
580 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
950mW (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
Rechteckig 0,950" x 2,690" (24,13mm x 68,33mm)
Contenitore/involucro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Codice componente base
RTQ025
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 0,96000€ 0,96
10€ 0,60200€ 6,02
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3 000€ 0,24014€ 720,42
6 000€ 0,22180€ 1 330,80
9 000€ 0,21246€ 1 912,14
15 000€ 0,20196€ 3 029,40
21 000€ 0,20117€ 4 224,57
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,96000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,17120