Canale N 60 V 3 A (Ta) 540mW (Ta) A montaggio superficiale TSMT3
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RSR030N06TL

Codice DigiKey
RSR030N06TLTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
RSR030N06TLCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
RSR030N06TLDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Rohm Semiconductor
Codice produttore
RSR030N06TL
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 3A TSMT3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 60 V 3 A (Ta) 540mW (Ta) A montaggio superficiale TSMT3
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
RSR030N06TL Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Rohm Semiconductor
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
3 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
85mohm a 3A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,5V a 1mA
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
380 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
540mW (Ta)
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TSMT3
Contenitore/involucro
SC-96
Codice componente base
RSR030
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