Name: RSQ035P03TR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RSQ035P03TR-ND
Price: 1.1712 EUR
Availability: InStock

Canale P 30 V 3,5 A (Ta) 1,25W (Ta) A montaggio superficiale Rechteckig 0,950" x 2,690" (24,13mm x 68,33mm)

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RSQ035P03TR
Codice DigiKey	RSQ035P03TR-ND - Nastrato in bobina (TR) RSQ035P03CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) RSQ035P03DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RSQ035P03TR
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 30 V 3,5 A (Ta) 1,25W (Ta) A montaggio superficiale Rechteckig 0,950" x 2,690" (24,13mm x 68,33mm)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	RSQ035P03TR Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Rohm Semiconductor
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Data di acquisto finale
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	3,5 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	65mohm a 3,5A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	9.2 nC @ 5 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	780 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1,25W (Ta)
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	Rechteckig 0,950" x 2,690" (24,13mm x 68,33mm)
Contenitore/involucro	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Codice componente base	RSQ035

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