Name: RSM002N06T2L
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RSM002N06T2LTR-ND
Price: 0.3782 EUR
Availability: InStock

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RSM002N06T2L
Codice DigiKey	846-RSM002N06T2LTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 846-RSM002N06T2LCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 846-RSM002N06T2LDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RSM002N06T2L
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 250MA VMT3
Tempi di consegna standard del produttore	21 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 250mA (Ta) 150mW (Ta) A montaggio superficiale VMT3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	RSM002N06T2L Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Rohm Semiconductor
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	250mA (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	2,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	2,4ohm a 250mA, 10V
Vgs(th) max a Id	2,3V a 1mA
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	15 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	150mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	VMT3
Contenitore/involucro	SOT-723
Codice componente base	RSM002

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Nastrato in bobina (TR)