Name: RS6G120BGTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RS6G120BGTB1TR-ND
Price: 4.7824 EUR
Availability: InStock

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RS6G120BGTB1
Codice DigiKey	846-RS6G120BGTB1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 846-RS6G120BGTB1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 846-RS6G120BGTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RS6G120BGTB1
Descrizione	NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 120 A (Tc) 104W (Tc) A montaggio superficiale 8-HSOP
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	RS6G120BGTB1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,5V a 1mA
Produttore Rohm Semiconductor	Carica del gate (Qg) max a Vgs 67 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4240 pF @ 20 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 104W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 120 A (Tc)	Contenitore del fornitore 8-HSOP
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 1,34mohm a 90A, 10V	Codice componente base RS6G