RS1G150MNTB Rohm Semiconductor | FET, MOSFET singoli

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RS1G150MNTB
Codice DigiKey	RS1G150MNTBTR-ND - Nastrato in bobina (TR) RS1G150MNTBCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) RS1G150MNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RS1G150MNTB
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 15A 8HSOP
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 15A (Ta), 43A (Tc) 3W (Ta), 25W (Tc) A montaggio superficiale 8-HSOP
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	RS1G150MNTB Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,5V a 1mA
Produttore Rohm Semiconductor	Carica del gate (Qg) max a Vgs 15 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Obsoleto	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 930 pF @ 20 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta), 25W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 15A (Ta), 43A (Tc)	Contenitore del fornitore 8-HSOP
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 10,6mohm a 15A, 10V	Codice componente base RS1G

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Sostituti (2)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
RS6G100BGTB1	Rohm Semiconductor	2 163	846-RS6G100BGTB1CT-ND	€ 2,25000	Consigliato dal produttore
CSD18504Q5A	Texas Instruments	4 165	296-30572-1-ND	€ 1,62000	Simile

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Nastrato in bobina (TR)

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Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,36000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,65920

RS1G150MNTB