Canale N 30 V 35A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta), 35W (Tc) A montaggio superficiale 8-HSOP
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RS1E350BNTB

Codice DigiKey
RS1E350BNTBTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
RS1E350BNTBCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
RS1E350BNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Rohm Semiconductor
Codice produttore
RS1E350BNTB
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP
Tempi di consegna standard del produttore
16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 35A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta), 35W (Tc) A montaggio superficiale 8-HSOP
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
RS1E350BNTB Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Rohm Semiconductor
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
35A (Ta), 80A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
1,7mohm a 35A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,5V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
185 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
7900 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3W (Ta), 35W (Tc)
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
8-HSOP
Contenitore/involucro
8-PowerTDFN
Codice componente base
RS1E
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In magazzino: 750
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 2,24000€ 2,24
10€ 1,44400€ 14,44
100€ 0,98660€ 98,66
500€ 0,79106€ 395,53
1 000€ 0,72949€ 729,49
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 500€ 0,66014€ 1 650,35
5 000€ 0,61812€ 3 090,60
7 500€ 0,59672€ 4 475,40
12 500€ 0,59599€ 7 449,88
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 2,24000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 2,73280