Canale N 30 V 32A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta) A montaggio superficiale 8-HSOP
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RS1E321GNTB1

Codice DigiKey
RS1E321GNTB1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
RS1E321GNTB1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
RS1E321GNTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Rohm Semiconductor
Codice produttore
RS1E321GNTB1
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 32A/80A 8HSOP
Tempi di consegna standard del produttore
18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 32A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta) A montaggio superficiale 8-HSOP
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Rohm Semiconductor
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
32A (Ta), 80A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
2,1mohm a 32A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,5V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
42.8 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
2850 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3W (Ta)
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
8-HSOP
Contenitore/involucro
8-PowerTDFN
Codice componente base
RS1E
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 2,66000€ 2,66
10€ 1,72900€ 17,29
100€ 1,19780€ 119,78
500€ 0,97086€ 485,43
1 000€ 0,89791€ 897,91
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 500€ 0,82546€ 2 063,65
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 2,66000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 3,24520