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Canale N 30 V 20A (Ta), 68A (Tc) 3W (Ta), 25W (Tc) A montaggio superficiale 8-HSOP
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RS1E200BNTB

Codice DigiKey
RS1E200BNTBTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
RS1E200BNTBCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
RS1E200BNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Rohm Semiconductor
Codice produttore
RS1E200BNTB
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
Tempi di consegna standard del produttore
16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 20A (Ta), 68A (Tc) 3W (Ta), 25W (Tc) A montaggio superficiale 8-HSOP
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
RS1E200BNTB Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Rohm Semiconductor
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
20A (Ta), 68A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
3,9mohm a 20A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,5V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
59 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
3100 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3W (Ta), 25W (Tc)
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
8-HSOP
Contenitore/involucro
8-PowerTDFN
Codice componente base
RS1E
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 500€ 0,26930€ 673,25
5 000€ 0,24869€ 1 243,45
7 500€ 0,23820€ 1 786,50
12 500€ 0,22641€ 2 830,12
17 500€ 0,22522€ 3 941,35
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,26930
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 0,32855