
RS1E150GNTB | |
|---|---|
Codice DigiKey | RS1E150GNTBTR-ND - Nastrato in bobina (TR) RS1E150GNTBCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) RS1E150GNTBDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | RS1E150GNTB |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 15A 8HSOP |
Tempi di consegna standard del produttore | 16 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 15 A (Ta), 40 A (Tc) 3W (Ta), 22W (Tc) A montaggio superficiale 8-HSOP |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Vgs(th) max a Id 2,5V a 1mA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 10 nC @ 10 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Vgs (max) ±20V |
Stato componente Attivo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 590 pF @ 15 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta), 22W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 30 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore 8-HSOP |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 8,8mohm a 15A, 10V | Codice componente base |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| BSC100N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | 4 | BSC100N03MSGATMA1CT-ND | € 0,97000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 0,81000 | € 0,81 |
| 10 | € 0,50600 | € 5,06 |
| 100 | € 0,32960 | € 32,96 |
| 500 | € 0,25346 | € 126,73 |
| 1 000 | € 0,22892 | € 228,92 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2 500 | € 0,20234 | € 505,85 |
| 5 000 | € 0,18591 | € 929,55 |
| 7 500 | € 0,17753 | € 1 331,47 |
| 12 500 | € 0,16812 | € 2 101,50 |
| 17 500 | € 0,16255 | € 2 844,62 |
| 25 000 | € 0,15956 | € 3 989,00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,81000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,98820 |

