Canale N 30 V 15 A (Ta), 40 A (Tc) 3W (Ta), 22W (Tc) A montaggio superficiale 8-HSOP
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RS1E150GNTB

Codice DigiKey
RS1E150GNTBTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
RS1E150GNTBCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
RS1E150GNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Rohm Semiconductor
Codice produttore
RS1E150GNTB
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 15A 8HSOP
Tempi di consegna standard del produttore
16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 15 A (Ta), 40 A (Tc) 3W (Ta), 22W (Tc) A montaggio superficiale 8-HSOP
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Rohm Semiconductor
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
15 A (Ta), 40 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
8,8mohm a 15A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,5V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
590 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3W (Ta), 22W (Tc)
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
8-HSOP
Contenitore/involucro
8-PowerTDFN
Codice componente base
RS1E
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 0,82000€ 0,82
10€ 0,50900€ 5,09
100€ 0,33110€ 33,11
500€ 0,25462€ 127,31
1 000€ 0,22996€ 229,96
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 500€ 0,20326€ 508,15
5 000€ 0,18675€ 933,75
7 500€ 0,17834€ 1 337,55
12 500€ 0,16889€ 2 111,12
17 500€ 0,16329€ 2 857,57
25 000€ 0,16029€ 4 007,25
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,82000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,00040