Name: RS1E130GNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RS1E130GNTBTR-ND
Price: 1.0004 EUR
Availability: InStock

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RS1E130GNTB
Codice DigiKey	RS1E130GNTBTR-ND - Nastrato in bobina (TR) RS1E130GNTBCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) RS1E130GNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RS1E130GNTB
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 13A 8HSOP
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 13 A (Ta) 3W (Ta), 22,2W (Tc) A montaggio superficiale 8-HSOP
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	RS1E130GNTB Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,5V a 1mA
Produttore Rohm Semiconductor	Carica del gate (Qg) max a Vgs 7.9 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 420 pF @ 15 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta), 22,2W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 13 A (Ta)	Contenitore del fornitore 8-HSOP
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 11,7mohm a 13A, 10V	Codice componente base RS1E

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Sostituti (1)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
PJQ5412_R2_00001	Panjit International Inc.	2 949	3757-PJQ5412_R2_00001CT-ND	€ 0,63000	Simile

In magazzino: 2 400

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,82000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,00040

RS1E130GNTB